文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 600mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 150V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 10mA, 5V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 400MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 600mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 400MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 150V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 10mA, 5V |
工厂包装数量 | 2000 |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
最大功率耗散 | 625 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
直流电流增益hFE最大值 | 240 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 150 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | - 160 V |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极最大直流电流 | 0.6 A |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | - 600 mA |
2N5401TF也可以通过以下分类找到
2N5401TF相关搜索